易科讯在线定制型AOI检测仪分享沟道效应对离子注入的影响

沟道效应对离子注入的影响？

掺杂深度与分布与设计预期不符

沟道效应虽然可以使注入离子穿行的更远，但是注入的深度却是不可控的。所有的离子离子束不是完美地完全平行于沟道。许多离子注入衬底后会发生许多次核碰撞，只有少数一些会进入很深的距离，这样注入的深度有的深有的浅，很不均匀。

器件的一致性降低

在晶体管等半导体器件中，掺杂剂的分布直接影响到器件的关键性能指标，例如开关特性、阈值电压、载流子迁移率等。因此不均匀的掺杂深度与分布，导致器件的一致性，稳定性降低。