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易科讯在线定制型AOI检测仪分享沟道效应对离子注入的影响

作者:admin 浏览量:52 来源:本站 时间:2024-03-11 07:59:07

信息摘要:

沟道效应对离子注入的影响?掺杂深度与分布与设计预期不符沟道效应虽然可以使注入离子穿行的更远,但是注入的深度却是不可控的。所有的离子离子束不是完美地完全平行于沟道。许多离子注入衬底后会发生许多次核碰撞,只有少数一些会进入很深的距离,这样注入的深度有的深有的浅,很不均匀。器件的一致性降低在晶体管等半导体

沟道效应对离子注入的影响?

掺杂深度与分布与设计预期不符

沟道效应虽然可以使注入离子穿行的更远,但是注入的深度却是不可控的。所有的离子离子束不是完美地完全平行于沟道。许多离子注入衬底后会发生许多次核碰撞,只有少数一些会进入很深的距离,这样注入的深度有的深有的浅,很不均匀。

器件的一致性降低

在晶体管等半导体器件中,掺杂剂的分布直接影响到器件的关键性能指标,例如开关特性、阈值电压、载流子迁移率等。因此不均匀的掺杂深度与分布,导致器件的一致性,稳定性降低。



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